關(guān)於掏空臺(tái)積電，日本比美國(guó)兇狠多了！
2024-12-31 14:45:00
來源：臺(tái)灣網(wǎng)
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臺(tái)積電向來被島內(nèi)社會(huì)視為臺(tái)灣重要資産以及對(duì)外談判的重要籌碼，其“護(hù)島神山”之名由來已久。不過，隨著民進(jìn)黨執(zhí)政進(jìn)入第三任期，在全面“倚美”的路線之下，對(duì)於臺(tái)積電，臺(tái)灣社會(huì)的焦慮感遠(yuǎn)多於榮耀感。臺(tái)積電未來還姓不姓“臺(tái)”？答案越來越令臺(tái)灣人感到悲觀。
對(duì)於臺(tái)積電後續(xù)發(fā)展的焦慮與悲觀情緒，根源於臺(tái)積電近年來“被全球建廠”的規(guī)劃。以往臺(tái)積電90%的産能都在臺(tái)灣，只有小部分在海外；今後這兩項(xiàng)數(shù)據(jù)很有可能對(duì)調(diào)，變成大部分産能在海外，小部分産能在島內(nèi)。
除了對(duì)島內(nèi)産能做減法，一些美方激進(jìn)人士這幾年還頻繁提到另一種極端情境下的極端處置方案，即在臺(tái)灣受到攻擊時(shí)，“幫助”臺(tái)灣摧毀臺(tái)積電及相關(guān)半導(dǎo)體工廠。理由是不能把先進(jìn)技術(shù)留給大陸，但提出這一瘋狂想法的人似乎根本沒有注意到臺(tái)灣人的感受。
美國(guó)一邊積極推動(dòng)臺(tái)積電産能外移，落實(shí)“搬空”策略，一邊對(duì)搬不走的部分提前擬定“炸光”計(jì)劃，這成為島內(nèi)社會(huì)“疑美”情緒持續(xù)擴(kuò)散的原因之一。不過，從實(shí)際情況來看，叫喊聲最大的美國(guó)在行動(dòng)上卻不是最快的。
早在2020年5月，臺(tái)積電就宣佈將在美國(guó)設(shè)立新廠，確定斥資120億美元，設(shè)立5奈米工藝的晶圓廠，場(chǎng)址在亞利桑那州菲尼克斯。此後，該工程預(yù)算不斷調(diào)高，先是漲到400億美元，接著又漲到600億美元。
水漲船高的預(yù)算換來的卻是遙遙無期的開工時(shí)程。根據(jù)臺(tái)媒12月30日的最新報(bào)道，臺(tái)積電亞利桑那廠第一階段廠區(qū)將於近期準(zhǔn)備4奈米製程量産，最快有望于2025年一季度末實(shí)現(xiàn)産出。原定於2026年開始量産3奈米的晶圓二廠，推遲到2028年才會(huì)量産。
相比“雷聲大，雨點(diǎn)遲”的美國(guó)，日本在掏空臺(tái)積電這件事上表現(xiàn)出後發(fā)先至的高效率。臺(tái)積電在2021年10月才宣佈在日本設(shè)廠的消息，隔年熊本一廠就開工了，今年2月完工激活，與此同時(shí)，臺(tái)積電又宣佈將建熊本二廠。
據(jù)日本共同社報(bào)道，熊本一廠按計(jì)劃已于12月開始量産，主要生産應(yīng)用於圖像感測(cè)器和汽車産業(yè)的12至28奈米製程邏輯半導(dǎo)體。熊本二廠，將生産更尖端的6奈米製程半導(dǎo)體，預(yù)料于明年1月至3月開工，目標(biāo)2027年底投産，兩間工廠總投資額225億美元。
一廠已經(jīng)量産，二廠即將開工，三廠也呼之欲出。有臺(tái)媒注意到，日本熊本縣知事木村敬今年8月抵臺(tái)訪問新竹科學(xué)園區(qū)臺(tái)積電總部時(shí)，就曾呼籲臺(tái)積電考慮建設(shè)熊本三廠。外媒11月披露稱，臺(tái)積電也有意興建熊本三廠，專門生産3奈米晶片。
對(duì)於掏空臺(tái)積電這項(xiàng)“大工程”，美國(guó)喊在前頭，未見其行而聞其聲；日本則跑在前頭，低調(diào)發(fā)言高調(diào)做事；當(dāng)然效率最低的還要數(shù)德國(guó)廠，佈局最晚，2023年8月宣佈建廠計(jì)劃，今年8月才動(dòng)土，量産最快要到2027年底。比較下來會(huì)發(fā)現(xiàn)，日本以最低代價(jià)、最高效能，吃到了臺(tái)積電産能外移的最大紅利。
搶先量産，意味著搶先賺錢。根據(jù)日本九州島經(jīng)濟(jì)調(diào)查協(xié)會(huì)公佈的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)，熊本一廠預(yù)計(jì)在2021—2030年的10年間，將為九州地區(qū)帶來總計(jì)約23萬億日元的經(jīng)濟(jì)效益，比2023年底的預(yù)測(cè)增加3萬億日元。
島內(nèi)社會(huì)對(duì)於日本廠的擔(dān)憂並不局限于經(jīng)濟(jì)效益，因?yàn)槿毡痉矫嬉彩肿⒅叵冗M(jìn)技術(shù)的積累，以及先進(jìn)人才的儲(chǔ)備和培養(yǎng)。有分析指出，日本通過臺(tái)積電逐步掌握半導(dǎo)體製造相關(guān)技術(shù)，並培養(yǎng)一批半導(dǎo)體製造高級(jí)人才。
當(dāng)民進(jìn)黨政客面對(duì)“掏空臺(tái)積電”質(zhì)疑而打出臺(tái)積電“根留臺(tái)灣”的口號(hào)時(shí)，不知道他們是否意識(shí)到了，人才和技術(shù)才是臺(tái)積電的根。隨著臺(tái)積電海外佈局頻率與力度的持續(xù)強(qiáng)化，至少在日本的“根系”已呈現(xiàn)出越來越發(fā)達(dá)的趨勢(shì)。
當(dāng)島內(nèi)社會(huì)質(zhì)疑臺(tái)積電將變成“美積電”時(shí)，卻沒注意到，現(xiàn)實(shí)當(dāng)中最有可能發(fā)生的情況是，臺(tái)積電率先變成“日積電”。如果民進(jìn)黨當(dāng)局的“倚美”、親日、“抗中”路線毫無調(diào)整，也許不要很久，臺(tái)灣人就會(huì)發(fā)現(xiàn)，臺(tái)積電“護(hù)島神山”的封號(hào)雖然沒有改變，但所護(hù)之島已從臺(tái)灣寶島變成了日本四島。（文/關(guān)其行）
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